金属箔式应变片采用光刻、腐蚀T艺，在粘贴于绝缘基底的薄盒属fi-上制成箔式电阻嗍栅。由于与基底的接触面机较』=。所以在受拉伸时不易脱胶。散热条件好，可通过较大电流。蠕变较小、一致性好易J‘大批量牛产。I：1前广泛用f应变式传感器制造r。

    在网14—4中，N型硅和P型锗两种半导体在受拉伸时，阻值变化互异，可构成取臂半娇，即可产生温度自补效应又可降低非线性影响。

    2半导体压变片

般金属应变片分为金属丝式、箔式、薄膜式三种。如图14—3所示。压力变送器金属丝式应变片有纸基、腔基两种，由F该粪应变片受拉伸时蠕变较大容易断裂、脱胶，使绝缘萑底和盖层分离，所以有被其他两种庖变片取代的趋势。但幽制作简单、价格便宜，日前仍广泛用于低测量精度应力、应变测量场合。

    半导体应变片采用锗、硅半导体材料。利用光刻、腐蚀或压膜工艺，压力变送器在基底P制成应变敏堪栅，然后用覆盖层加以保护，如罔14—4所爪。

    薄膜式应变片采用真空蒸镀技术，在绝缘基属上蒸镀层薄金属材料制成薄膜电阻，然后用覆盖层加以保护。它与基地的接触面积最大，性能优J‘其他应变电阻。

    半导体应变片的优点足应变系数较大．分辨率高。但由于半导体材料性质决定了它与应变之间的非线性，所以温漂大、一致性也差。在使用时应增加温度朴偿、零点漂移抑制以厦其他非线性补偿措施。